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DP0150BLP4-7
PNP 电流:100mA 电压:50V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -50V。 高集电极电流：Ic = -100mA。 功率耗散：Pd = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 低封装高度：0.4mm，减少板外轮廓。 互补NPN类型：DN0150BLP4。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DP0150BLP4-7
- 商品编号
- C17386170
- 商品封装
- X2-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@2mA,6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@100mA,10mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
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