NE3503M04-T2B-A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE3503M04-T2B-A
- 商品编号
- C17385064
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 125mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板（DCB）上的硅芯片
- 隔离基板
- 出色的热传递性能
- 增强的温度和功率循环能力
- 高隔离电压（2500V 及以上）
- 175°C 工作温度
- 极高的电流处理能力
- 快速本征二极管
- 雪崩额定
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命维持的医疗设备。
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