商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 175A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 224nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 4.36nF |
优惠活动
购买数量
(1个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/袋
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
其他推荐
- PCSN5D33-100M-RC
- RF064PJ822CS
- 3112-1-00-01-00-00-08-0
- IF-2-12
- 135-180-JTW
- IPL1-116-01-F-D-K
- PRV6SBABGYB25505MA
- LTL-2300HR
- 66F085-0407
- 687-611A170DD
- XTEAWT-00-0000-00000BG50
- 627-M09-220-BN2
- TEM-115-02-DH1-L-D-A
- 103R-122J
- 714-83-163-41-014101
- 60A08-4-040C
- 50-57-9515
- 714-83-120-31-008101
- 534AA000151DGR
- SIT8208AI-2F-28E-3.570000Y
- SIT1602AI-11-30E-54.000000