TT8K1TR
2个N沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- TT8K1TR
- 商品编号
- C17381039
- 商品封装
- TSST-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@1.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 静电放电(ESD)防护高达2KV(人体模型HBM)
- 高密单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 防潮等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)
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