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PJL9606_R2_00001

1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:6A 电流:7A

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品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJL9606_R2_00001
商品编号: C17380012
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.172克(g)

商品参数

商品概述

ALD110802/ALD110902是高精度单片四/双增强型N沟道MOSFET，采用ALD成熟的EPAD® CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。ALD110802/ALD110902 MOSFET的设计和制造旨在实现卓越的器件电气特性匹配。由于这些器件位于同一单片芯片上，它们还具有出色的温度系数跟踪特性。它们是多功能的电路元件，可用作广泛模拟应用的设计组件，例如电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。

ALD110802/ALD110902器件的设计旨在实现最小失调电压和差分热响应，适用于< + 0.1V至+10V系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度，因为这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性，并且可以在亚阈值区域进行偏置和操作。由于这些是MOSFET器件，它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限大）的电流增益。

ALD110802/ALD110902适用于非常低工作电压或非常低功耗（纳瓦级）、需要非常高电流增益β的精密应用，如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益源于通过控制栅极的极低电流损耗。直流电流增益受栅极输入泄漏电流的限制，室温下该电流规定为30pA。

商品特性

增强型（常开）
精确的栅极阈值电压+0.20V
MOSFET之间特性匹配
严格的批次间参数控制
低输入电容
VGS(th)匹配（VOS）至10mV
高输入阻抗 — 典型值10^12 Ω
正、零和负VGS(th)温度系数
直流电流增益>10^8
低输入和输出泄漏电流

应用领域

超低功耗（纳瓦级）模拟和数字电路
超低工作电压（<0.20V）电路
亚阈值偏置和操作电路
精密电流镜和电流源
纳安级电流源
高阻抗电阻模拟器
电容式探头和传感器接口
差分放大器输入级
分立电压比较器和电平转换器
电压偏置电路
采样保持电路
模拟和数字反相器
电荷检测器和电荷积分器
源极跟随器和高阻抗缓冲器
电流倍增器
分立模拟开关/多路复用器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	1.7W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	-