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APT30GP60BDQ1G
APT30GP60BDQ1G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT30GP60BDQ1G
- 商品编号
- C17379819
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 463W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.2nF | |
| 输出电容(Coes) | 295pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 20pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 13ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 55ns | |
| 导通损耗(Eon) | 260uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 330uJ；750uJ；250uJ；520uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 19ns；55ns；15ns；105ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 400V、37A时可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 400V、24A时可实现200kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具备安全工作区额定值
- PUSB3AB6471
- 1399.99.0039
- GW CSSRM3.PM-N8P1-XX52-1-700-R33
- S12M
- 54HC58J/B
- XHP35B-00-0000-0D0BE20DV
- XBHAWT-02-0000-000LT50F4
- 2-640455-1
- ELM55503GD
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- AIPXE-5X650BP-01
- DGSSM21HS
- SIT9365AC-2E3-28N30.720000
- 480-10-206-00-001101
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- FXR.01.07.0100C.A
- IL-WX-12P-HF-HD-S-B-E1000E
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