- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMZB550UNE315
PMZB550UNE 30V N沟道Trench MOSFET
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- 描述
- N沟道增强模式场效应晶体管，采用无引脚超小型DFN1006B-3(SOT883B)表面贴装塑料封装，使用Trench MOSFET技术。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- PMZB550UNE315
- 商品编号
- C17379778
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、无引脚超小型DFN1006B - 3(SOT883B)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。
商品特性
- 沟槽MOSFET技术
- 低阈值电压
- 极快速开关
- 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
- 超薄封装,高度仅0.37 mm
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
- 5046930600
- SIT8208AC-3F-28E-74.175824T
- 09661537611
- 660-050XW13S5-01
- RT055AS3301KB
- 627W3WK3624-4N2
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- 5204-0013-20
- VS-VSKN26/16
- DMA10IM1600PZ-TUB
- SIT8208AI-81-18E-33.330000
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- A3E-44D-2R(30)