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PMZB550UNE315

PMZB550UNE 30V N沟道Trench MOSFET

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描述
N沟道增强模式场效应晶体管,采用无引脚超小型DFN1006B-3(SOT883B)表面贴装塑料封装,使用Trench MOSFET技术。
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
PMZB550UNE315
商品编号
C17379778
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录其他接口
属性参数值
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术、无引脚超小型DFN1006B - 3(SOT883B)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 沟槽MOSFET技术
  • 低阈值电压
  • 极快速开关
  • 静电放电(ESD)保护 > 2 kV HBM
  • 超薄封装,高度仅0.37 mm

应用领域

  • 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路

数据手册PDF