2SK1847-TB-E
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 极低噪声系数
- 大|Yfs|值
- 低栅极漏电流
- 小尺寸封装,可缩小使用FET的设备体积
应用领域
- 低频放大器、低噪声、模拟开关阻抗转换
- 高频放大器
- 高压开关、高速开关
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