商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF混频器 | |
| RF频率范围 | 12.6GHz~15.4GHz | |
| IF频率范围 | 2.7GHz~3.5GHz | |
| LO频率范围 | 9GHz~12.6GHz | |
| 通道数 | - | |
| P1dB | -7dBm | |
| IP3 | 1dBm | |
| 隔离度(L-R) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离度(L-I) | - | |
| 增益/损耗 | 15dB | |
| 噪声系数 | 2dB | |
| 工作电压 | 4V | |
| 工作电流 | 161mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
ADMV1010是一款紧凑型砷化镓(GaAs)设计的单片微波集成电路(MMIC) I/Q下变频器,采用符合RoHS标准的封装,优化用于12.6 GHz至15.4 GHz频率范围内的点对点微波无线电设计。ADMV1010优化为低噪声、上边带(低侧本振(LO))镜像抑制下变频器。
ADMV1010提供15 dB的变频增益和25 dB的镜像抑制。该器件使用射频(RF)低噪声放大器(LNA),后接一个同相/正交(I/Q)双平衡混频器,其中驱动放大器驱动本振(LO)。提供了IF1和IF2混频器输出,并需要外部90°混合器来选择所需的边带。I/Q混频器拓扑减少了对不需要的边带进行滤波的需求。相比于混合式单边带下变频器组件,ADMV1010是一种更小的选择,并且通过允许使用表面贴装制造工艺消除了键合线的需要。
ADMV1010下变频器采用紧凑的、热增强的4.9 mm x 4.9 mm、32端子LCC封装。其工作温度范围为-40°C至+85°C。
应用领域
- 点对点微波无线电
- 仪器和自动测试设备
- 卫星通信
- 60HFU-500
- XHP70B-00-0000-0D0BP235E
- SG-8018CB 121.3060M-TJHSA0
- SIT8209AC-32-28S-166.666000
- SIT8008BIL11-33E-24.000000
- RD15S100V30/AA
- 103960-7
- SIT8208AC-22-18S-40.000000
- 152220-0110-GB
- FR30DR02
- 3090R-222F
- SIT1602BC-22-25E-20.000000
- XPLAWT-H0-0000-000LV30F4
- TSS-105-01-S-D-LL
- SIT8208AC-23-33E-16.000000
- SBH31-NBPB-D10-RA-BK
- NS1020HA
- MAX297CPA+
- SG-8018CG 29.498928M-TJHPA0
- 25QHM53D0.5-94.000
- XMLBEZ-00-0000-0B00V340H


