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TSM3911DCX6 RFG

2个P沟道耐压:20V 电流:2.2A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM3911DCX6 RFG
商品编号: C17378077
商品封装: SOT-26
包装方式: 编带
商品毛重: 0.044克(g)

商品参数

商品概述

MRF148B是一款线性射频功率场效应晶体管，专为工业、商业和业余无线电设备中频率高达175 MHz的功率放大器应用而设计。

商品特性

先进沟槽工艺技术
用于超低导通电阻的高密度单元设计

应用领域

频率高达175 MHz的工业、商业和业余无线电设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	2.2A
	导通电阻(RDS(on))	300mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	1.15W
	阈值电压(Vgs(th))	950mV

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	15.23nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	882.51pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	145.54pF