- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 1.6kV | |
| 通态电流(It) | 780A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 150mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 600mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 重复峰值电压：NTE5590 200V，NTE5591 600V，NTE5592 1200V，NTE5597 1600V
- 非重复峰值反向阻断电压：NTE5590 300V，NTE5591 700V，NTE5592 1300V，NTE5597 1700V
- 平均通态电流：双面冷却时470A（散热片温度+55℃），单面冷却时160A（散热片温度+85℃）
- RMS通态电流：780A（双面冷却，散热片温度+25℃）
- 连续通态电流：668A（双面冷却，散热片温度+25℃）
- 峰值单周期浪涌电流：4650A（10ms持续时间）
- 非重复通态电流：5120A（10ms持续时间）
- 最大允许浪涌能量：10ms持续时间131000A2s，3ms持续时间97350A2s
- 峰值正向门极电流：19A
- 峰值正向门极电压：18V
- 峰值反向门极电压：5V
- 平均门极功率：2W
- 峰值门极功率：100W（100μs脉冲宽度）
- 断态电压上升率：200V/μs
- 通态电流上升率：重复500A/μs，非重复1000A/μs
- 工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
- 存储温度范围：-40℃ 至 +150℃
- 热阻：结到散热片，双面冷却0.095℃/W，单面冷却0.190℃/W
- 峰值通态电压：1.75V（ITM=840A）
- 正向导通阈值电压：0.92V
- 正向导通斜率电阻：0.99mΩ
- 重复峰值断态电流：20mA
- 重复峰值反向电流：20mA
- 最大门极电流：150mA
- 最大门极电压：3V
- 最大维持电流：600mA
- 最大不触发门极电压：0.25V
- ISFP-GIG-BX-U-C
- EVAL-ADF7020-1DBZ7
- VS-41HF40
- 1648549-1
- LMZ8-QW40
- 170-80-304-00-001101
- SIT9365AI-2E1-30E160.000000
- 3QHM572D2.0-14.318
- 360-80-137-00-001101
- SIT8208AC-3F-25E-10.000000Y
- 1-926519-2
- MZ2Q-CFSPSKQ0
- SG-8018CB 47.0016M-TJHPA0
- 656L156A3C2T
- 4-2842272-8
- SIT1602BC-82-25E-25.000625
- XTEAWT-E0-0000-00000HFF6
- RSF2B-393-JBW
- 103050
- MMI-P1M-COL-42-IP6X
- GMA.0B.035.DG