SLG59H1019V
13 mΩ、5 A 集成式软启动功率开关,具备保护功能和 MOSFET 电流监测输出
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- SLG59H1019V
- 商品编号
- C17374851
- 商品封装
- STQFN-18(1.6x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 工作电压 | 4.5V~25.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 5A | |
| 导通电阻 | 13mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
SLG59H1019V是一款高性能的13毫欧NMOS功率开关,旨在控制4.5伏至25.2伏、最高5安的电源轨。采用专有MOSFET设计,SLG59H1019V在较宽的输入电压范围内实现了稳定的13毫欧导通电阻。通过结合新颖的FET设计和铜柱互连,SLG59H1019V封装在大电流操作时也表现出较低的热阻。SLG59H1019V设计用于在 -40摄氏度至85摄氏度的范围内工作,采用低散热、符合RoHS标准的1.6 x 3.0毫米STQFN封装。
商品特性
- 宽工作输入电压:4.5伏至25.2伏
- 最大连续电流:5安
- 自动nFET安全工作区保护
- 高性能MOSFET开关:低导通电阻,在输入电压为25.2伏时为13毫欧;低导通电阻随输入电压的变化率,小于0.05毫欧/伏;低导通电阻随温度的变化率,小于0.06毫欧/摄氏度
- 电容可调的浪涌电流控制
- 两级电流限制保护:电阻可调的有源电流限制和内部短路电流限制
- 开漏故障信号
- MOSFET电流模拟输出监测:10微安/安
- 快速0.75千欧输出放电
- 无铅/无卤/符合RoHS标准的封装
应用领域
- 电信设备
- 高性能计算负载点电源分配
- 电机驱动
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