NPT1004D
NPT1004D
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- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- NPT1004D
- 商品编号
- C17374399
- 商品封装
- SOIC-8-EP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 针对直流至4 GHz的脉冲、全球微波互联接入(WiMAX)、宽带码分多址(W-CDMA)、长期演进技术(LTE)及其他低热负载应用进行优化
- 2.5 GHz性能表现
- 45 W P3dB连续波功率
- 13.5 dB小信号增益
- P3dB时效率达55%
- 100%射频测试
- 热增强型表面贴装小外形集成电路(SOIC)封装
- 高可靠性镀金工艺
- 受EAR99出口管制
- 符合RoHS标准
应用领域
- 陆地移动无线电
- 无线基础设施
- 工业、科学和医疗(ISM)频段
- 甚高频/超高频/L/S波段雷达
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