NPT1004D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2V,120mA | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@16mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 功率MOS 7个MOSFET
- 低导通电阻（RDSon）
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 雪崩能量额定值
- 坚固耐用
- 开尔文源极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 对称设计
- 用于电源连接的引脚框架
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 高度集成
应用领域
- 电机控制-开关模式电源-不间断电源
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