商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 560W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.7kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 9nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽+场截止 IGBT 技术
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达 20 kHz
- 软恢复并联二极管
- 低二极管正向压降
- 低漏电流
- 反向偏置安全工作区（RBSOA）和短路安全工作区（SCSOA）额定
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5 电源连接器
- 高集成度
应用领域
太阳能转换器、不间断电源