W29N08GZBIBF TR
8G位1.8V NAND闪存
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W29N08GZBIBF TR
- 商品编号
- C17373158
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 35ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 250us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 |
商品概述
W29N08GW/Z(8G位)NAND闪存为空间、引脚和电源有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它非常适合将代码映射到RAM、固态应用。
- SIT8208AI-2F-33E-60.750000Y
- L128-2780CA3500004
- 653L31252I3T
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- 516-056-541-456
- SIT8208AI-G1-25E-66.666000X
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