ACPL-P349-500E

2.5-Amp输出电流SiC/GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光耦合器

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品牌名称: Broadcom(博通)
商品型号: ACPL-P349-500E
商品编号: C17372679
商品封装: SOIC-6-6.8mm
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

博通的ACPL - P349/W349包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于功率转换应用的SiC/GaN（碳化硅/氮化镓）MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的SiC/GaN MOSFET和IGBT。

商品特性

最大峰值输出电流2.5A
宽工作VCC范围：15V至30V
最大传播延迟110ns
最大传播延迟差50ns
轨到轨输出电压
在VCM = 1500V时，最小共模抑制比（CMR）为100 kV/μs
带迟滞的LED电流输入
最大电源电流ICC = 4.2mA
带迟滞的欠压锁定保护（UVLO）
工业温度范围：-40°C至105°C
安全认证
- UL认证3750/5000 VRMS，持续1分钟
- CSA
- IEC/EN/DIN EN 60747 - 5 - 5 VIORM = 891 / 1140 VPEAK

应用领域

SiC/GaN MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
工业逆变器
可再生能源逆变器
开关电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	逻辑输出光耦
	工作电压	1.55V
	隔离电压(Vrms)	3.75kV

	属性	参数值
	通道数	1
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	内置施密特触发器；欠压锁定