HGTH20N50E1D
HGTH20N50E1D
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- HGTH20N50E1D
- 商品编号
- C17372328
- 商品封装
- TO-218
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 500V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@20V,35A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HGTH20N40C1D、HGTH20N40E1D、HGTH20N50C1D 和 HGTH20N50E1D 是 n 沟道增强型绝缘栅双极晶体管（IGBT），专为高压、低导通损耗应用而设计，如开关稳压器和电机驱动器。它们具有一个分立的反并联二极管，可在反向时将电流分流到 IGBT 周围，而不会将载流子引入耗尽区。这些型号可直接由低功率集成电路驱动。
20A、400V 和 500V 带反并联超快二极管的 N 沟道 IGBT
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的 ESD 处理程序。
商品特性
- 20A、400V 和 500V，Vce(on) 最大 2.5V
- Trall 为 1μs、0.5μs
- 低导通电压
- 快速开关速度
- 高输入阻抗
- 反并联二极管
应用领域
- 电源
- 电机驱动器
- 保护电路
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