商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 过流保护；热保护 |
商品概述
L6491是采用BCD6 “离线”技术制造的高压器件。它是一款用于N沟道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器，具有4A的灌电流和拉电流能力。高端（浮动）部分设计为可承受高达600V的电压轨。逻辑输入与低至3.3V的CMOS/TTL兼容，便于与微控制器或DSP接口。集成比较器可用于快速过流保护，也适用于其他功能，如过温保护等。EVAL6491HB板可在驱动额定电压高达600V的TO - 220或TO - 247封装功率开关时评估L6491的所有特性。该板允许轻松选择和修改相关外部组件的值，以便在不同应用条件下评估驱动器的性能，并对最终应用的组件进行精细预调。
商品特性
- 高达600V的高压轨
- 在全温度范围内dV/dt抗扰度为50V/ns
- 驱动器电流能力：4A灌电流/拉电流
- 用于故障保护的比较器
- 智能关断功能
- 集成自举二极管
- 可调节死区时间
- 互锁功能
- 带1nF负载时开关时间为15ns上升/下降
- 带迟滞的3.3V、5V TTL/CMOS输入
- 紧凑且简化的布局
- 减少物料清单
- 有效的故障保护
- 灵活、简便且快速的设计
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