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BSZ0911LSATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:40A 电流:12A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSZ0911LSATMA1
- 商品编号
- C17369471
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品特性
- 针对充电器和适配器(如USB - PD、无线充电)进行优化
- 在VGS = 4.5 V时,导通电阻RDS(on)极低
- 卓越的热阻性能
- N沟道
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤素
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