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IKW25N120H3FKSA1
1.2kV 25A
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- 描述
- 高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW25N120H3FKSA1
- 商品编号
- C17367001
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 25A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@25A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@0.85mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.43nF | |
| 输出电容(Coes) | 115pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 75pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 27ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 277ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.8mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 850uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 290ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
- 162G24
- RD9S10WT2C
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