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TSM80N1R2CL C0G

1个N沟道耐压:800V 电流:5.5A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM80N1R2CL C0G
商品编号: C17365469
商品封装: TO-262S(I2PAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

低噪声、高增益

原装双模塑塑料封装

商品特性

超结技术
因品质因数小而具备高性能
高耐用性
高换向性能
无铅电镀
符合欧盟指令 2011/65/EU 的 RoHS 标准,并符合 WEE 2002/96/EC 标准
根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
无铅
符合标准
无卤

应用领域

-电源-照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	5.5A
	导通电阻(RDS(on))	1.2Ω@10V
	耗散功率(Pd)	110W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	19.4nC@10V
	输入电容(Ciss)	685pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	62pF