NTE5888
硅功率整流二极管，25A，DO4封装
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE5888
- 商品编号
- C17364334
- 商品封装
- DO-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTE5864至NTE5889是采用DO4封装的硅功率整流二极管，设计具有极低的漏电流和良好的浪涌处理能力。这些器件非常适合用于对经济性、功率能力和可靠性有严格要求的应用。
商品特性
- 峰值反向电压 $P_{RV}$：NTE5864、NTE5865为200V；NTE5884、NTE5885为600V；NTE5888、NTE5889为1200V
- 最大正向电流（单相、半波、$T_{C} = +121^{\circ}C$）$I_{F(AV)}$ 为30A
- 最大正向浪涌电流（单周期安培）$I_{FSM}$ 为300A
- 最大正向压降（$I_O = 30A$、$T_C = +25^{\circ}C$）$V_F$ 为1.2V
- 最大反向电流（在$+150^{\circ}C$时的FCA）$I_R$ 为1mA
- 熔断电流（小于8ms）$I²t$ 为350A²s
- 体雪崩反向功率为0.16焦耳
- 工作温度范围$T_{opr}$ 为 -40°至 +175°C
- 储存温度范围$T_{stg}$ 为 -55°至 +190°C
- 最大热阻，结到外壳$R_{thJC}$ 为3.0°C/W