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DMN66D0LDWQ-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:217mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN66D0LDWQ-13
- 商品编号
- C17364014
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 217mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，并提供生产件批准程序（PPAP）文件支持。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-小型表面贴装封装-栅极具备静电放电保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关
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