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DMN66D0LDWQ-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:217mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN66D0LDWQ-13
- 商品编号
- C17364014
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 217mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:负载开关
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-小型表面贴装封装-栅极具备静电放电保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关
- 655L15623C3T
- SIT1602BC-12-28S-37.500000
- DSK10G-BT
- MS3437A74A
- TR-TW-EVO60M-8
- LRW0805WJR18GG001E
- SG-8018CB 50.3167M-TJHPA0
- SIT8208AC-2F-25S-24.576000X
- 1409794
- TMC2209-EVAL-KIT
- SIT8008AI-31-33E-59.497670
- SIT8920BM-23-33E-32.000000
- L401E5RP
- MILS1812-681K
- SG-8018CG 45.6960M-TJHPA0
- TWC 345R
- SIT8208AC-23-25S-18.432000
- SIT8208AC-8F-33E-38.000000X
- ACM1604D-FL-YBW
- SP-CABLE-FS-SFP+3-HPC
- VS-26MT10