MRF148A

ALD1103是一款单片式双N沟道和双P沟道匹配晶体管对，适用于广泛的模拟应用。这些增强型晶体管采用Advanced Linear Devices公司的增强型ACMOS硅栅CMOS工艺制造。它在一个封装中集成了一个ALD1101 N沟道MOSFET对和一个ALD1102 P沟道MOSFET对。 ALD1103具有高输入阻抗和负电流温度系数。该晶体管对经过匹配，可实现最小失调电压和差分热响应，专为+2V至+10V系统中的精密信号切换和放大应用而设计，这些应用需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。由于这些是MOSFET器件，它们在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无限大）的电流增益。成对使用时，可以构建双CMOS模拟开关。此外，ALD1103还可作为差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的构建模块。 ALD1103适用于需要非常高电流增益（β）的精密应用，如电流镜和电流源。场效应晶体管的高输入阻抗和高直流电流增益使得通过控制栅极的电流损耗极低。直流电流增益受栅极输入泄漏电流的限制，室温下该泄漏电流规定为50pA。例如，在25°C、漏极电流为5mA时，该器件的直流β值 = 5mA / 50pA = 100,000,000。

• 卓越的高阶互调失真性能
• 互调失真(d3)(30 W 峰值包络功率):-35 dB
• 互调失真(d11)(30 W 峰值包络功率):-60 dB
• 指定的50 V、30 MHz特性:
• 输出功率:30 W
• 增益:18 dB
• 效率:40%
• 针对所有相位角、电压驻波比为30:1的负载失配进行100%测试
• 更低的反向传输电容:3 pF

• 频率高达175 MHz的工业、商业和业余无线电设备