- 引脚图
- 焊盘图
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2N5460
2N5460
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- 描述
- 2N5460是一款硅P-Channel JFET，设计用于低电平放大器应用。
- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- 2N5460
- 商品编号
- C17362632
- 商品封装
- TO-92-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 750mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR的2N5460、2N5461和2N5462是硅P沟道JFET，专为低电平放大器应用而设计。
应用领域
低电平放大器
- SJ6025NRP
- 633-026-663-041
- 09000005241
- EHT-120-01-F-D-SM-SR-LC
- 1719710220
- SIT1602BC-11-XXS-54.000000
- 638-044-331-053
- LTMM-110-01-SM-D-SM
- WP1043ID
- TSS-132-01-T-D
- 653V17855I2T
- 2450-1901-100
- SIT9365AI-1B2-30E159.375000
- DCM-13H6S-N-A197
- SIT1602BI-33-18S-38.400000
- SG-8018CA 52.0000M-TJHSA0
- 7708-3
- NRNE333H3950B1H
- CSHB0520R-1R5M
- LP-34-1400
- DMC-M 48-01