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IXBT2N250
高压、高增益单极双极MOS晶体管，集成反并联二极管，采用国际标准封装，低导通损耗，低栅极驱动要求，高功率密度
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXBT2N250
- 商品编号
- C17361362
- 商品封装
- TO-268AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.465333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 2.5kV | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@15V,2A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | - | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 920ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 高阻断电压
- 集成反并联二极管
- 国际标准封装
- 低传导损耗
- 低栅极驱动要求
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源（UPS）
- 激光发生器
- 电容放电电路
- 交流开关