温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXBT2N250
高压、高增益单极双极MOS晶体管，集成反并联二极管，采用国际标准封装，低导通损耗，低栅极驱动要求，高功率密度
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXBT2N250
- 商品编号
- C17361362
- 商品封装
- TO-268AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.465333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 2.5kV | |
| 集电极电流(Ic) | 5A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 13A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 100uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.8V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@15V,2A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 145pF | |
| 输出电容(Coes) | 8.7pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 3.2pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 70ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | - | |
| 反向恢复时间(Trr) | 920ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 高阻断电压
- 集成反并联二极管
- 国际标准封装
- 低传导损耗
- 低栅极驱动要求
- 高功率密度
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源（UPS）
- 激光发生器
- 电容放电电路
- 交流开关
- K85X-BA-25S-R30
- EHT-113-01-S-D-SM-LC
- P160R-184FS
- 627-8W8-222-7TA
- SIT8208AI-3F-18E-30.000000X
- 5-103951-1
- ADL5375-05-EVALZ
- CDLL7053/TR
- 6HDD26PAR99B70X
- FS10-2000
- S1PGHM3/85A
- 1-1776293-1
- ASFLM1-50.000MHZ-LC-T
- 2083810207
- SIT8008BC-23-33E-41.208000
- DCM25W3PF179A
- SIT1602BC-13-18S-25.000625
- 500-008M1GHL
- 76201-011LF
- ADM1270RQ-EVALZ
- XPLAWT-00-0000-000BV2051