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ALD212914SAL

2个N沟道耐压:10.6V 电流:80mA

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD212914SAL
商品编号: C17360623
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

ALD212900A/ALD212900精密N沟道EPAD MOSFET阵列采用成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些双片式器件是ALD110900A/ALD110900 EPAD MOSFET系列的增强型产品，具有更高的正向跨导和输出电导，尤其在极低电源电压下表现出色。 ALD212900A/ALD212900适用于低电压、低功耗的小信号应用，具有零阈值电压特性，可使输入/输出信号参考地的电路设计在更宽的工作电压范围内工作。使用这些器件，可以构建多级级联电路，使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。例如，使用这些器件已成功构建了一个电源电压低于0.2V的微功耗输入放大器级。 ALD212900A EPAD MOSFET的栅极阈值电压VGS(th)精确设置为0.00V ±0.01V（VDS = 0.1V，IDS = +20μA），典型失调电压仅为±0.001V（1mV），具有出色的匹配对器件电气特性。它们集成在单个单片芯片上，还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件可作为各种模拟小信号应用的设计组件，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和微功耗常通电路。除了精密匹配对电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件针对最小失调电压和差分热响应进行了优化，可用于+0.1V至+10V（±0.05V至±5V）供电系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > 0.00V时，器件表现出增强模式特性；当VGS < 0.00V时，器件在亚阈值电压区域工作，表现出传统的耗尽模式特性，具有良好控制的关断和亚阈值电平，其工作方式与标准增强模式MOSFET相同。 ALD212900A/ALD212900具有高输入阻抗（2.5 × 10^10 Ω）和高直流电流增益（>10^8）。在25°C下，漏极输出电流为30mA、输入电流为300pA时，直流电流增益的示例计算结果为30mA / 300pA = 100,000,000，这意味着动态工作电流范围约为八个数量级。

商品特性

零阈值VGS(th) = 0.00 V \pm 0.01 V
最大VOS(VGS(th)匹配)为2mV/10mV
亚阈值电压(微功耗)工作
最小工作电压< 100mV
最小工作电流< 1nA
最小工作功率< 1nW
工作电流范围> 100,000,000:1
高跨导和输出电导
低RDS(ON)为14Ω
输出电流> 50mA
匹配和跟踪的温度系数
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)温度系数
低输入电容和泄漏电流

应用领域

低开销电流镜和电流源
零功率常通电路
能量收集电路
极低电压模拟和数字电路
零功率故障安全电路
备用电池电路和电源故障检测器
极低电平电压钳位
极低电平过零检测器
匹配的源极跟随器和缓冲器
精密电流镜和电流源
匹配的电容式探头和传感器接口
电荷检测器和电荷积分器
高增益差分放大器输入级
匹配的峰值检测器和电平转换器
多通道采样保持开关
精密电流倍增器
分立匹配模拟开关/多路复用器
微功耗分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10.6V
	连续漏极电流(Id)	80mA

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	-
	工作温度	-