MQ2N4860UB/TR
MQ2N4860UB/TR
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MQ2N4860UB/TR
- 商品编号
- C17360427
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 2V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 当环境温度 TA 大于 25℃ 时，线性降额 2.06 mW/℃。
- 当管壳温度 TC 大于 25℃ 时，线性降额 10.3 mW/℃。
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