- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MQ2N4860UB/TR
MQ2N4860UB/TR
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MQ2N4860UB/TR
- 商品编号
- C17360427
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 2V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 当环境温度 TA 大于 25℃ 时，线性降额 2.06 mW/℃。
- 当管壳温度 TC 大于 25℃ 时，线性降额 10.3 mW/℃。
- MDM-37PCBRPT-A174
- SG-8018CB 11.060472M-TJHSA0
- MLEAWT-A1-0000-0003B4
- 176274-4
- SG-8018CA 133.5000M-TJHPA0
- TFM-147-02-L-D
- DDC124EH-7
- 656V10403I2T
- ESQT-110-03-L-D-358
- EVAL-AD7147EBZ
- 664-009-264-038
- SIT9365AI-2B3-30E250.000000
- SG-8018CA 9.8435M-TJHSA0
- 3-641191-3
- PL8901NLT
- 026TB32R500B1B1
- 3090R-102H
- 1N2228A
- SIT1602BI-31-30S-4.000000
- 516-038-540-502
- 2-2842287-8