W29N08GZBIBA TR
8G位1.8V NAND闪存存储器
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- 描述
- W29N08GW/Z(8G-bit)NAND Flash存储器为嵌入式系统提供了有限空间、引脚和功耗的存储解决方案。适用于代码映射到RAM、固态应用和存储媒体数据等。该设备在1.7V至1.95V的单电源下工作,活动电流低至13mA,CMOS待机电流低至20μA。
- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W29N08GZBIBA TR
- 商品编号
- C17360339
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | 35ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 250us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能 |
商品概述
W29N08GW/Z(8G位)NAND闪存为空间、引脚和功率有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它非常适合将代码映射到RAM、固态应用。
- 3-88637-5
- DC12.2122.101
- TFM-140-02-S-D-K
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