商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 200mV@0.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 当VGS为 - 10 V、ID为 - 500 mA时，RDS(ON) < 4 Ω
- 当VGS为 - 4.5 V、ID为 - 200 mA时，RDS(ON) < 6 Ω
- 当VGS为 - 2.5 V、ID为 - 50 mA时，RDS(ON) < 13 Ω
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为继电器驱动、高速线路驱动等设计
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料