商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 200mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 在12 GHz时最小噪声系数为0.6 dB
- 在12 GHz时相关增益为10.0 dB
- 在12 GHz时P1dB为15.0 dBm
- 栅极尺寸为0.15微米×300微米
应用领域
- 超低噪声应用的绝佳选择
- 适用于商业和高可靠性空间应用