- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 直流电流增益(hFE) | 10 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V |
商品概述
该射频线路NPN硅功率晶体管主要设计用于2.0至30 MHz的高压应用，作为高功率线性放大器。适用于船舶和基站设备。
商品特性
- 指定50 V、30 MHz特性：
- 输出功率 = 150 W（PEP）
- 最小增益 = 13 dB
- 效率 = 45%
- 150 W（PEP）时的互调失真：
- IMD = -30 dB（最大值）
- 对所有相位角下30:1的负载失配进行100%测试
- 150 W连续波时的电压驻波比
应用领域
船舶和基站设备
- 1-750913-9
- CTGSR105BF-101M
- P9A3R100DISX3102MA
- HE6HWPR/06
- M85049/9-54B
- SP-L-0025-103-1%-RLU
- RCS1005F225CS
- 701-099-100
- 511AAA25M0000CAG
- ZSS-105-03-G-D-710
- 794431-1
- 000-01-15-174
- CTCDRH127F-120M
- 8955-0-05-21-00-00-03-0
- STM015L44IQ
- SIT8208AC-22-25S-33.600000
- SG-8018CA 36.7200M-TJHSA0
- ASFL3-14.31818MHZ-EK-T
- SIT8208AC-8F-18S-60.000000X
- 1718131003
- 831019870