温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 电阻比率 | 4.7 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-外延平面芯片结构-提供互补NPN类型(DDC)-内置偏置电阻-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
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| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 电阻比率 | 4.7 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
-外延平面芯片结构-提供互补NPN类型(DDC)-内置偏置电阻-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准