- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V@1mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA | |
| 输入电阻 | - | |
| 电阻比率 | 4.7 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
-外延平面芯片结构-提供互补NPN类型(DDC)-内置偏置电阻-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
- SIT1602BC-21-25E-66.666660
- 654E20484C3T
- MCC72-12IO1B
- MS3186A116N
- 162-40-628-00-180000
- PM2202.471NLT
- EV1HMC544A
- 111338-1
- DF1B-12DP-2.5DS(01)
- 0436500613
- 175-511-JTW
- SIT8208AI-81-18S-27.000000
- 1665650000
- GCM1885G1H2R3CA16J
- 530EA114M285DG
- SCRH1035R-221
- 656L16113I2T
- D3448-89124
- 0375-0-43-80-02-27-10-0
- SIT8209AC-33-18S-133.300000
- TSM75-H50GM33RT-8.192M