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S27KL0643GABHV020实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S27KL0643GABHV020

64Mb自刷新DRAM(PSRAM),八进制xSPI,1.8V/3.0V

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商品型号
S27KL0643GABHV020
商品编号
C17356781
商品封装
FBGA-24(6x8)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.335克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录PSRAM(伪静态)
属性参数值
功能特性软件复位功能;部分阵列刷新;刷新冲突指示;内置自动刷新逻辑;硬件复位功能;自动掉电功能

商品概述

英飞凌64Mb HYPERRAM设备是一款高速CMOS自刷新动态随机存取存储器(DRAM),具有xSPI(八进制)接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当xSPI接口主设备(主机)未对存储器进行读写操作时,设备内的刷新控制逻辑会管理DRAM阵列的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,对主机而言,该DRAM阵列就像使用了无需刷新即可保留数据的静态单元。因此,该存储器更准确地描述为伪静态随机存取存储器(PSRAM)。由于在读写事务期间无法刷新DRAM单元,因此要求主机限制读写突发传输长度,以便在需要时进行内部逻辑刷新操作。如果存储器表明需要进行刷新操作,主机必须限制事务的持续时间,并在新事务开始时增加额外的初始访问延迟。xSPI(八进制)是一种与SPI兼容的低信号数量、双倍数据速率(DDR)接口,支持八个输入/输出(I/O)。xSPI(八进制)中的DDR协议在DQ输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。xSPI(八进制)上的读写事务包括在内部RAM阵列上进行一系列16位宽、一个时钟周期的数据传输,以及在DQ信号上进行两个相应的8位宽、半个时钟周期的数据传输。所有输入和输出均与LV-CMOS兼容。通过不同的订购部件编号(OPN),设备可提供1.8V CC / V CC Q或3.0V CC / V CC Q(标称值)的阵列(V CC)和I/O缓冲器(V CC Q)电源。xSPI(八进制)上的每个事务必须包含一个命令,而地址和数据是可选的。

商品特性

  • xSPI(八进制)接口
  • 支持1.8V/3.0V接口
  • 单端时钟(CK) - 11个总线信号
  • 可选差分时钟(CK,CK#) - 12个总线信号
  • 片选(CS#)
  • 8位数据总线(DQ[7:0])
  • 硬件复位(RESET#)
  • 双向读写数据选通(RWDS)
  • 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
  • 在读取事务期间作为读取数据选通输出
  • 在写入事务期间作为写入数据掩码输入
  • 可选DDR中心对齐读取选通(DCARS)
  • 在读取事务期间,RWDS偏移第二个时钟,与CK相位偏移
  • 相位偏移时钟用于在读取数据窗口内移动RWDS转换边缘
  • 最大时钟速率200 MHz
  • DDR
  • 在时钟的两个边缘传输数据
  • 数据吞吐量高达400 MBps(3200 Mbps)
  • 可配置突发特性
  • 线性突发
  • 环绕突发长度:16字节(8个时钟)、32字节(16个时钟)、64字节(32个时钟)、128字节(64个时钟)
  • 混合选项 - 一个环绕突发后接线性突发
  • 可配置输出驱动强度
  • 电源模式:混合睡眠模式、深度掉电
  • 阵列刷新:部分内存阵列(1/8、1/4、1/2等)、全阵列
  • 封装:24球FBGA
  • 工作温度范围:工业级(I):-40°C至+85°C;工业增强级(V):-40°C至+105°C;汽车级,AEC - Q100 3级:-40°C至+85°C;汽车级,AEC - Q100 2级:-40°C至+105°C
  • 技术:38纳米DRAM

数据手册PDF