S27KL0643GABHV020
64Mb自刷新DRAM(PSRAM),八进制xSPI,1.8V/3.0V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S27KL0643GABHV020
- 商品编号
- C17356781
- 商品封装
- FBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.335克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | PSRAM(伪静态) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 软件复位功能;部分阵列刷新;刷新冲突指示;内置自动刷新逻辑;硬件复位功能;自动掉电功能 |
商品概述
英飞凌64Mb HYPERRAM设备是一款高速CMOS自刷新动态随机存取存储器(DRAM),具有xSPI(八进制)接口。DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当xSPI接口主设备(主机)未对存储器进行读写操作时,设备内的刷新控制逻辑会管理DRAM阵列的刷新操作。由于主机无需管理任何刷新操作,对主机而言,该DRAM阵列就像使用了无需刷新即可保留数据的静态单元。因此,该存储器更准确地描述为伪静态随机存取存储器(PSRAM)。由于在读写事务期间无法刷新DRAM单元,因此要求主机限制读写突发传输长度,以便在需要时进行内部逻辑刷新操作。如果存储器表明需要进行刷新操作,主机必须限制事务的持续时间,并在新事务开始时增加额外的初始访问延迟。xSPI(八进制)是一种与SPI兼容的低信号数量、双倍数据速率(DDR)接口,支持八个输入/输出(I/O)。xSPI(八进制)中的DDR协议在DQ输入/输出信号上每个时钟周期传输两个数据字节。xSPI(八进制)上的读写事务包括在内部RAM阵列上进行一系列16位宽、一个时钟周期的数据传输,以及在DQ信号上进行两个相应的8位宽、半个时钟周期的数据传输。所有输入和输出均与LV-CMOS兼容。通过不同的订购部件编号(OPN),设备可提供1.8V CC / V CC Q或3.0V CC / V CC Q(标称值)的阵列(V CC)和I/O缓冲器(V CC Q)电源。xSPI(八进制)上的每个事务必须包含一个命令,而地址和数据是可选的。
商品特性
- xSPI(八进制)接口
- 支持1.8V/3.0V接口
- 单端时钟(CK) - 11个总线信号
- 可选差分时钟(CK,CK#) - 12个总线信号
- 片选(CS#)
- 8位数据总线(DQ[7:0])
- 硬件复位(RESET#)
- 双向读写数据选通(RWDS)
- 在所有事务开始时输出以指示刷新延迟
- 在读取事务期间作为读取数据选通输出
- 在写入事务期间作为写入数据掩码输入
- 可选DDR中心对齐读取选通(DCARS)
- 在读取事务期间,RWDS偏移第二个时钟,与CK相位偏移
- 相位偏移时钟用于在读取数据窗口内移动RWDS转换边缘
- 最大时钟速率200 MHz
- DDR
- 在时钟的两个边缘传输数据
- 数据吞吐量高达400 MBps(3200 Mbps)
- 可配置突发特性
- 线性突发
- 环绕突发长度:16字节(8个时钟)、32字节(16个时钟)、64字节(32个时钟)、128字节(64个时钟)
- 混合选项 - 一个环绕突发后接线性突发
- 可配置输出驱动强度
- 电源模式:混合睡眠模式、深度掉电
- 阵列刷新:部分内存阵列(1/8、1/4、1/2等)、全阵列
- 封装:24球FBGA
- 工作温度范围:工业级(I):-40°C至+85°C;工业增强级(V):-40°C至+105°C;汽车级,AEC - Q100 3级:-40°C至+85°C;汽车级,AEC - Q100 2级:-40°C至+105°C
- 技术:38纳米DRAM
- SN75LVDS88B
- W631GU8NB-12 TR
- SI5338B-B02422-GMR
- W9812G6KB-6I TR
- SI5338N-B04761-GM
- SI5338M-B06986-GMR
- NDQ46PFP-8NET TR
- W94AD6KBHX6I TR
- IS46TR16128DL-107MBLA1-TR
- W971GG8NB-18
- SI5338B-B12964-GMR
- IS42S83200G-7TLI
- 9DBL08P1B000KILFT
- IS42S86400D-6TL
- SI5338N-B06142-GM
- IS43DR16160B-25DBL-TR
- SC10SX1401FJR2
- IS42S16400J-7TL-TR
- NDL28PFR-9MET TR
- AS4C512M8D4-75BINTR
- W63AH6NBVACI TR
