SLG59H1126V

SLG59H1126V是一款高性能、自供电的18 mΩ NMOS功率开关，专为所有4.5 V至12 V、电流高达6 A的电源轨而设计。采用专有MOSFET设计，SLG59H1126V在较宽的输入电压范围内实现了稳定的18 mΩ导通电阻。结合新颖的FET设计和铜柱互连，SLG59H1126V封装在大电流工作时也具有较低的热阻。SLG59H1126V的工作温度范围为 -40 °C至85 °C，采用低导热电阻、符合RoHS标准的1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

• 宽工作输入电压：4.5 V至13.2 V
• 最大连续电流：6 A
• 自动nFET安全工作区保护
• 高性能MOSFET开关，低导通电阻：在VIN = 12 V时为18 mΩ，低ΔRDS(ON)/ΔVIN < 0.05 mΩ/V，低ΔRDS(ON)/ΔT < 0.06 mΩ/°C
• 两级、引脚可选的VIN过压锁定
• 电容可调的浪涌电流控制
• 两级电流限制保护：电阻可调的有源电流限制，内部短路电流限制
• 开漏故障信号
• MOSFET电流模拟输出监测：10 μA/A
• 快速4 kΩ输出放电
• 无铅/无卤/符合RoHS标准的封装

• 企业计算和电信设备5 V和12 V负载点电源分配
• PCI/PCIe适配卡
• 通用高压电源轨开关
• 多功能打印机
• 风扇电机控制