- 引脚图
- 焊盘图
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174DFN 8L ROHS
174DFN 8L ROHS
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- 商品型号
- 174DFN 8L ROHS
- 商品编号
- C17354696
- 商品封装
- DFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4.5V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 低噪声、低漂移的单片双N沟道JFET放大器
- 额定值为限制值，超过该值可能会损害任何半导体的可用性
- 温度高于25°C时，以4mW/°C的速率降额
- CBC25W3M1F00X/AA
- M6P-BAS2-110W
- XTEAWT-E0-0000-00000UDE8
- 135-271-JBW
- GCM0335C1HR90WA16J
- EVAL6208N
- 629-36W4640-3TB
- 0405-0-15-01-34-01-04-0
- SG-8018CA 108.0000M-TJHPA0
- 516-120-542-222
- Q6035RH5TP
- S1W0-2835278003-0000003S-00005
- SG-8018CE 70.8333M-TJHSA0
- JCW-159/U(41)
- MF52C1474F4300
- SDURK10Q60
- 9353-0-15-80-18-80-10-0
- BZT52B5V1S R9G
- SG-8018CE 32.2123M-TJHSA0
- 942-005MC35PA
- 82635DSD455