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NTE5554-I实物图
  • NTE5554-I商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTE5554-I

NTE5554-I

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品牌名称
NTE Electronics
商品型号
NTE5554-I
商品编号
C17354032
商品封装
ITO-220AB​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录晶闸管(可控硅)/模块
可控硅类型1个单向可控硅
断态峰值电压(Vdrm)400V
通态电流(It)25A
通态峰值电压(Vtm)1.6V
属性参数值
门极触发电流(Igt)40mA
门极触发电压(Vgt)1.3V
保持电流(Ih)50mA
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

NTE5552 - I至NTE5558 - I是25安培的可控硅整流器(SCR),主要设计用于半波交流控制应用,如电机控制、过压撬棒保护、电容放电点火、电压调节和焊接设备。

商品特性

  • 适用于通用交流开关,最大栅极触发电流(IGT)为40mA。
  • 隔离散热片。
  • 重复峰值断态电压(VDRM):NTE5552 - I为200V,NTE5554 - I为400V,NTE5556 - I为600V,NTE5558 - I为800V。
  • 峰值反向阻断电压(VRRM):NTE5552 - I为200V,NTE5554 - I为400V,NTE5556 - I为600V,NTE5558 - I为800V。
  • 最大峰值反向栅极电压(VRGM)为5V。
  • 均方根通态电流(全正弦波,结温TC = +75°C),IT(RMS)为25A。
  • 平均通态电流(TC = +75°C),IT(AV)为16A。
  • 非重复浪涌峰值通态电流(全周期,初始结温TJ = +25°C),ITSM:频率F = 50Hz时为320A,F = 60Hz时为350A。
  • 熔断I²t值(脉冲宽度tp = 10ms),I²t为510A²s。
  • 通态电流临界上升率(IG = 2×IGT,上升时间tr < 100ns,TJ = +125°C),di/dt:NTE5552 - I、NTE5554 - I、NTE5556 - I为100A/μs,NTE5558 - I为50A/μs。
  • 正向峰值栅极电流(脉冲宽度tp = 20μs,TJ = +125°C),IGM:NTE5552 - I、NTE5554 - I、NTE5556 - I为2A,NTE5558 - I为4A。
  • 平均栅极功率耗散(TJ = +125°C),PG(AV)为1W。
  • 隔离电压(VISO)为2500VRMS。
  • 工作结温范围(TJ)为 - 40°C至 + 125°C。
  • 储存温度范围(TStg)为 - 40°C至 + 150°C。
  • 结到外壳的热阻(RthJC)为1.9°C/W。
  • 结到环境的热阻(RthJA)为60°C/W。

数据手册PDF