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F1129MBEVB引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

F1129MBEVB

F1129MBEVB

商品型号
F1129MBEVB
商品编号
C17351356
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录其他模块
属性参数值
功能特性睡眠唤醒功能

商品概述

F1129MB是一款单端输入/差分输出的3GHz至4.2GHz高增益射频放大器。阻抗转换、高增益、高线性度和低噪声性能的结合,使该器件成为各种接收器应用的理想放大器。F1129MB经过优化,可采用单5V电源供电,标称ICC电流为60mA。在3.55GHz工作时,F1129MB典型增益为19dB,噪声系数为1.8dB,OIP3为+32dBm。F1129MB与瑞萨的F1129xx系列射频放大器引脚兼容,提供额外的频率和输出阻抗选项。每个F1129变体采用2×2mm、12引脚DFN封装,具有50Ω单端射频输入和100Ω差分射频输出阻抗,便于集成到信号路径中。

商品特性

  • 射频范围:3.0GHz至4.2GHz
  • 在3.55GHz时增益 = 19dB
  • 在3.55GHz时噪声系数 = 1.8dB
  • 在3.55GHz时OIP3 = +32dBm
  • 在3.55GHz时输出P1dB = +18dBm
  • 温度范围内增益变化典型值为±0.15dB
  • 50Ω单端输入阻抗
  • 100Ω差分输出阻抗
  • 3.3V或5V电源供电
  • 在5V时ICC = 60mA
  • 待机电流为1.3mA
  • 支持1.8V和3.3V逻辑用于待机控制
  • 工作温度(TEP)范围:-40°C至+115°C
  • 2×2mm、12引脚DFN封装

应用领域

  • 5G/大规模MIMO基站
  • 4G TDD和FDD基站
  • 2G/3G基站
  • 中继器和分布式天线系统
  • 点对点基础设施

数据手册PDF