APT27GA90BD15

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT27GA90BD15
商品编号: C17349627
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	223W
	集射极击穿电压(Vces)	900V
	集电极电流(Ic)	48A
	集电极脉冲电流(Icm)	79A
	集电极截止电流(Ices)	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	3.1V；2.5V
	栅极阈值电压(Vge(th))	4.5V
	栅极电荷量(Qg)	62nC

	属性	参数值
	输入电容(Cies)	1.39nF
	输出电容(Coes)	145pF
	反向传输电容(Cres)	30pF
	开启延迟时间(Td(on))	9ns
	关断延迟时间(Td(off))	98ns
	导通损耗(Eon)	413uJ；760uJ
	关断损耗(Eoff)	287uJ；647uJ
	反向恢复时间(Trr)	300ns；125ns；235ns；20ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

POWER MOS 8（圈）是一种高速穿通型开关模式 IGBT。通过领先的硅设计和寿命控制工艺实现了低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低的 Eoff - VCE(ON) 权衡带来了卓越的效率。低栅极电荷和大幅降低的 Cres/Cies 比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。

商品特性

快速开关且低 EMI
极低的 Eoff 以实现最大效率
超低的 Cres 以提高抗噪性
低传导损耗
低栅极电荷
增加本征栅极电阻以实现低 EMI
符合 RoHS 标准

应用领域

ZVS 移相及其他全桥、半桥、高功率 PFC 升压、焊接、UPS、太阳能及其他逆变器

数据手册PDF

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