EK42553-02

PE42553是一款采用HaRPTM技术增强的吸收式单刀双掷（SPDT）射频开关，支持9 kHz至8 GHz的宽频率范围。这款通用开关保持了出色的线性度、高射频性能和快速稳定时间，使其非常适合测试与测量（T&M）、自动化测试设备（ATE）和其他高性能无线应用。PE42553是PE42552的引脚兼容版本，在8 GHz、50Ω条件下，连续波（CW）功率处理能力提高到36 dBm，脉冲功率处理能力提高到38 dBm。如果射频端口上没有直流电压，则不需要隔直电容。PE42553采用pSemi的UltraCMOS®工艺制造，这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘硅（SOI）技术的专利变体。pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具GaAs的性能和传统CMOS的经济性与集成度。

• 出色的功率处理能力：在8 GHz、50Ω条件下，连续波功率为36 dBm，脉冲功率为38 dBm
• 高线性度：三阶交调截点（IIP3）为66 dBm
• 高隔离度：3 GHz时为45 dB，8 GHz时为41 dB
• HaRP™技术增强：快速稳定时间，无栅极和相位滞后，插入损耗和相位无漂移
• 高静电放电（ESD）性能：所有引脚的人体模型（HBM）静电放电耐压为2.5 kV，射频引脚到地的HBM静电放电耐压为4 kV，所有引脚的带电器件模型（CDM）静电放电耐压为1 kV
• 封装：16引脚、3×3 mm的QFN封装

测试与测量（信号源、通信测试仪、频谱分析仪、网络分析仪）、自动化测试设备、通用发射/接收开关