商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 69pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
适用于2700 MHz至3100 MHz频率范围S波段应用的400 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 在1300 MHz、漏源电压VDS为32 V、总器件静态漏极电流IDq = 0.9 A的连续波(CW)性能:
- 平均输出功率 = 100 W
- 功率增益 = 18 dB
- 漏极效率 = 56 %
- 在1300 MHz、漏源电压VDS为32 V、总器件静态漏极电流IDq = 0.9 A的双音性能:
- 峰值包络负载功率 = 100 W
- 功率增益 = 18 dB
- 漏极效率 = 45 %
- 互调失真 = -32 dBc
- 集成静电放电(ESD)保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 出色的可靠性
- 易于功率控制
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 高频至1400 MHz频率范围的通信发射机应用
- 高频至1400 MHz频率范围的工业应用
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