商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@3.75V,3.15A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@90mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 69pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
适用于2700 MHz至3100 MHz频率范围S波段应用的400 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 高效率
- 出色的耐用性
- 专为S波段雷达应用设计
- 出色的热稳定性
- 易于功率控制
- 集成双面ESD保护，实现出色的关态隔离
- 脉冲格式灵活性高
- 内部匹配，使用方便
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 2700 MHz至3100 MHz频率范围的S波段雷达应用
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