QST8TR
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 1.5A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 270@200mA,2V | |
| 特征频率(fT) | 400MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV@25mA,500mA | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 集电极电流大。
- 集电极饱和电压低。
- 在IC = -500mA / IB = -25mA时，VCE(sat) ≤ -200mV
应用领域
- 低频放大器
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