ALD910018SALI

ALD810018/ALD910018 是 ALD8100xx(四通道)和 ALD9100xx(双通道)系列超级电容器自动平衡 MOSFET(即 SABTM MOSFET)的成员。SAB MOSFET 采用经过生产验证的 EPAD® 技术制造,旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器,也称为超电容器或超级电容,串联连接时,可通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合来实现漏电流平衡,以防止过压。 ALD810018 为四个 SAB MOSFET 器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性,可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910018 为其两个 SAB MOSFET 器件中的每一个都有一组独特的精密工作电气特性,适用于多达两个串联连接的超级电容器。 每个 SAB MOSFET 在 Vt 模式下具有精确的栅极阈值电压,当栅 - 漏源极端子 (VGS = VDS) 连接在一起且漏源电流 IDS(ON) = 1\mu A 时,该电压为 1.80V。在这种模式下,输入电压 VIN = VGS = VDS。不同的 VIN 会产生输出电流 IOUT = IDS(ON) 特性,并形成一个有效可变电阻,其阻值随 VIN 呈指数变化。当将此 VIN 连接到串联的每个超级电容器两端时,可将每个超级电容器的电压和电流平衡在其极限范围内。 当向 ALD810018/ALD910018 施加 V\textIN = 1.80 \textV 时,其 I\textOUT 为 1 \mu \textA。若 V\textIN 增加 100 \textmV 至 1.90 \textV,I\textOUT 约增加 10 倍。对于 ALD910018,若 V\textIN 再增加至 2.02 \textV(ALD810018 为 2.04 \textV),I\textOUT 增加 100 倍,达到 100 \mu \textA。相反,若 V\textIN 降低 100 \textmV 至 1.70 \textV,I\textOUT 降至其先前值的十分之一,即 0.1 \mu \textA。输入电压再降低 100 \textmV,I\textOUT 将降至 0.01 \mu \textA。因此,当将 ALD810018/ALD910018 SAB MOSFET 连接到充电至低于 1.60 \textV 的超级电容器两端时,它基本上不消耗功率。 ALD810018/ALD910018 的导通电阻与电压相关的特性,在连接到超级电容器两端时,可有效控制超级电容器两端的电压过度升高。在串联连接的超级电容器组中,当一个超级电容器电压升高时,其他超级电容器的电压会降低,漏电流最大的超级电容器电压最低。连接在这些超级电容器两端的 SAB MOSFET 会呈现互补的相反电流水平,除了超级电容器自身产生的漏电流外,几乎不会产生额外的漏电流。

• 使用简单且经济
• 工厂精密微调
• 自动调节和平衡漏电流
• 有效实现超级电容器电荷平衡
• 单个 IC 封装可平衡多达 4 个超级电容
• 平衡 2 节、3 节、4 节串联超级电容
• 可扩展至更大的超级电容器组和阵列
• 几乎零额外漏电流
• 在额定电压以下 0.3V 时零泄漏
• 平衡串联和/或并联连接的超级电容
• 漏电流是电池电压的指数函数
• 有效电流范围从 < 0.3nA 到 >1000\mu A
• 始终处于工作状态,响应时间始终很快
• 最小化漏电流和功耗

-串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-在选定电压下的零功耗分压器-匹配电流镜和电流源-零功耗模式下的最大电压限制器-可扩展的超级电容器组和阵列