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TSM60N900CI C0G

1个N沟道耐压:600V 电流:4.5A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM60N900CI C0G
商品编号: C17344610
商品封装: ITO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.612克(g)

商品参数

商品特性

直接覆铜陶瓷基板（DCB）上的硅芯片
隔离基板
出色的热传递性能
增强的温度和功率循环能力
高隔离电压（约2500V）
工作温度可达175°C
极高的电流处理能力
快速本征二极管
雪崩额定
极低的导通电阻RDS(on)
易于安装
节省空间
高功率密度

应用领域

直流-直流转换器和离线式UPS-原边开关-高速功率开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	4.5A
	导通电阻(RDS(on))	900mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	9.7nC@10V
	输入电容(Ciss)	480pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	36pF