- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FD800R45KL3KB5
高绝缘模块，采用沟槽/场截止 IGBT3 和发射极控制 3D 二极管
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FD800R45KL3KB5
- 商品编号
- C17344493
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2000克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 4.5kV | |
| 集电极电流(Ic) | 800A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 1600A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 5mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.1V；2.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.5uC@2800V | |
| 输入电容(Cies) | 185nF@25V | |
| 反向传输电容(Cres) | 3.1nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 580ns；600ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 6.9us；6.6us | |
| 导通损耗(Eon) | 4.1J；3.1J | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.8J；3.4J | |
| 工作温度 | -50℃~+125℃ |
商品特性
- 电气特性：V_CES = 4500 V；I_Cnom = 800 A / I_CRM = 1600 A；高直流稳定性；高动态鲁棒性；高短路能力；低VCE,sat；沟槽IGBT 3；V_CE,Sat具有正温度系数
- 机械特性：采用AlSiC基板以提高热循环能力；高爬电距离和电气间隙；隔离基板；CTl > 600的封装；具有10.4 kV交流60秒增强绝缘的封装
应用领域
牵引驱动、电机驱动、中压转换器、斩波器应用、高功率转换器
- 12HPEND1
- S4924R-151K
- NHQMM683B400T5
- HS1ML
- BPDR000505201R0T00
- SG-8018CG 11.2896M-TJHPA0
- 831056298
- RCS1005J115CS
- CE3291-32.000
- SGM4MDS4T0000
- 630-M37-640-WN1
- GCM1885C1H2R4BA16D
- QK010LH5TP
- SG-8018CA 85.9200M-TJHSA0
- C162A-FTY-LW65
- 15-97-6101
- VS-6EWX06FNTRLHM3
- LTMM-110-02-G-D-SM-LC
- XTEAWT-00-0000-00000HCF8
- 516-090-540-550
- 516-056-540-636