- 引脚图
- 焊盘图
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APT100GN60LDQ4G
APT100GN60LDQ4G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT100GN60LDQ4G
- 商品编号
- C17343212
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 229A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 300A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.45V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6nF | |
| 输出电容(Coes) | 560pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 200pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 31ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 310ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.75mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.675mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 160ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这些IGBT采用了最新的场截止和沟槽栅极技术，具有极低的VCE(ON)，非常适合需要极低传导损耗的低频应用。由于参数分布非常紧密且VCE(ON)温度系数略为正，因此易于并联使用。内置栅极电阻确保即使在发生短路故障时也能实现极其可靠的运行。低栅极电荷简化了栅极驱动设计，并使损耗最小化。
商品特性
- 600V场截止
- 沟槽栅极：低VCE(on)
- 易于并联
- 6µs短路能力
- 集成栅极电阻：低EMI、高可靠性
应用领域
焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源
- DCMAM62SNM
- SG-8018CG 61.2500M-TJHSA0
- SG-8018CG 56.649758M-TJHSA0
- 510BBB200M000AAGR
- SIT1602BC-83-XXN-25.000625
- 67C08-8-M-030C
- 103-561J
- SIT8208AC-G2-33S-12.288000Y
- SIT9003AC-13-33DQ-3.00000Y
- FN9222R-12-06
- MS3180-14CA
- CT5HTF-400
- EHT-120-01-S-D-RA-10
- CD214C-S3G
- SIT8225AC-2F-18E-25.000000Y
- SG-8018CE 167.3280M-TJHPA0
- VS-6EWH06FNTRL-M3
- MX6AWT-H1-R250-0007A8
- MF52C503F3950-G410
- 23-0600-21
- IPL1-125-01-L-S-RA-K