- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DDTA115GE-7-F
DDTA115GE-7-F
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DDTA115GE-7-F
- 商品编号
- C17342408
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 82 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 100kΩ | |
| 电阻比率 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA |
商品特性
- 外延平面芯片结构
- 提供互补NPN类型（DDTC）
- 仅内置偏置电阻R2
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑的“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
- 544DCCB000121CCGR
- 0874270848
- BA25BC0WT-V5
- 656V74A3C2T
- 638P156H2I3T
- 750310344
- XMLHVW-Q0-0000-0000LS6E4
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- SIT8208AC-2F-25E-40.500000T
- SC104-120
- 9001SKR2RH6
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- PA16NM223MLB15
- SG-8018CB 5.0060M-TJHPA0
- N3433-6302RB
- SRP7020TA-R10Y
- SG-8018CB 135.2050M-TJHPA0
- TFM-115-02-S-D-P-TR