商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- HiPerFETTM技术
- 低导通电阻(RDSon)
- 非箝位电感开关(UIS)能力
- dv/dt耐受性
- 快速本征反向二极管
- 低栅极电荷
- 用于内部温度测量的热敏电阻
- 低电感电流路径
- 大电流主端子采用螺栓连接
- 辅助端子可使用不可互换的连接器
- 开尔文源极端子,便于驱动
- 绝缘DCB陶瓷基板
应用领域
- 高功率密度转换器,用于
- 电动汽车的主辅交流驱动器
- 四象限直流驱动器
- 电源
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