DC1624A-B

演示电路1624A包含两个独立的轨电路，每个电路都具备热插拔和理想二极管功能，这些功能由LTC4225 - 1/LTC4225 - 2双理想二极管和热插拔控制器提供。 DC1624A便于评估LTC4225在不同操作模式下的性能，如电源斜坡上升、电源切换、稳态和过流故障。电源切换模式可以实现为理想二极管功能或优先级功能。 每个DC1624A轨电路配置为使用12V电源和最大11.5A的电流负载运行。 该电路板的主要组件包括LTC4225控制器、两个用作理想二极管的MOSFET、两个用作热插拔器件的MOSFET、两个功率感测电阻、两个用于独立启用每个轨的跳线、四个分别指示每个通道电源正常和故障状态的LED，以及输入电压缓冲器。每个热插拔MOSFET栅极都有用于可选RC电路的焊盘，以调整输出电压转换速率。 标准配置（即DC1624A默认的组装方式）将理想二极管MOSFET置于热插拔MOSFET之前。电路板上也有用于替代配置的焊盘，即将热插拔MOSFET置于理想二极管MOSFET之前。

LTC4225通过控制电源路径中的两个背靠背N沟道MOSFET，实现具有浪涌电流限制和过流保护的理想二极管功能。LTC4225有两个理想二极管和两个热插拔控制器。每个理想二极管MOSFET都与一个特定的热插拔MOSFET配合工作，因为它们由共同的开关控制连接，并且理想二极管控制器感测电压包括两个MOSFET和感测电阻的电压降。因此，LTC4225为两个输入电源提供独立控制。 LTC4225栅极驱动放大器（DGATEN）监测NN和OUTN引脚之间的电压，并驱动DGATEN引脚。当放大器检测到较大的正向电压降时，它会迅速拉高DGATE引脚，开启MOSFET（Q1或Q3），以实现理想二极管控制。 将ON引脚拉高并将EN引脚拉低会启动一个100ms的消抖计时周期。100ms后，电荷泵的一个10µA电流源会使HGATEN引脚电压上升。当热插拔MOSFET（Q2或Q4）开启时，浪涌电流会被限制在由置于IN和SENSE引脚之间的外部感测电阻所设定的水平。 一个有源电流限制放大器将MOSFET的栅极控制为使电流感测电阻两端的电压达到65mV。如果需要，可以通过在HGATE和GND之间添加一个电容来进一步降低浪涌电流。当MOSFET的栅极过驱动（HGATE到OUT电压）超过4.2V时，PWRGD引脚会拉低。 当两个MOSFET（Q1和Q2或Q3和Q4）都开启时，栅极驱动放大器控制DGATE，使感测电阻和背靠背MOSFET两端的正向电压降（VIN - VOUT）达到25mV。如果负载电流导致电压降超过25mV，栅极电压会升高，以增强用于理想二极管控制的MOSFET。对于大输出电流，MOSFET的栅极会被完全驱动导通，电压降等于两个串联MOSFET的ILOAD × RDS(ON)之和。 在MOSFET导通时发生输入电源短路的情况下，会有大的反向电流从负载流向输入。栅极驱动放大器一旦检测到这种故障状态，就会通过拉低DGATE引脚来关闭理想二极管MOSFET。

演示电路DC1624A可以轻松设置，以评估LTC4225 - 1/LTC4225 - 2的性能。参考图1进行正确的测量设备设置，并按照以下步骤操作。 DC1624A测试包括对LTC4225热插拔功能、理想二极管功能以及两个电源轨优先级功能（通道1具有最高优先级）的独立测试。 热插拔功能测试：该测试对于每个12V轨都是相同的，通过在不同操作模式下测量瞬态参数分三个步骤进行。第一步是在无任何额外负载的情况下上电。第二步是在成功上电瞬态后进行电流限制操作。第三步是在输出短路的情况下上电。