NTE467
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：30V
- 漏栅电压（VDG）：30V
- 反向栅源电压（VGSR）：30V
- 正向栅极电流（IG(f)）：10mA
- 总器件功耗（TA = +25°C）（PD）：310mW
- 25°C以上降额：2.82mW/°C
- 工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
- 储存温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
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