EV18021A-N-00A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 | |
| 类型 | 电源管理 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
MP18021A是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制,时间延迟匹配小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能,在电源不足时强制输出低电平。集成的自举二极管减少了外部元件数量。 此演示板配置为降压转换器。INH和INL是相互独立的信号。为简单起见,用户只需向该演示板提供PWM信号,板载电路将生成具有适当死区时间的INH和INL信号。在实际系统中,控制器必须负责死区时间调整。
商品特性
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- 100V VBST电压范围
- 片上自举二极管
- 典型16ns传播延迟时间
- 小于5ns的栅极驱动匹配
- 12V VDD下以12ns/9ns的上升/下降时间驱动1nF负载
- TTL兼容输入
- 小于150μA静态电流
- 高端和低端均有UVLO
- 采用SOIC8E和QFN8 3×3mm封装
应用领域
-电信半桥电源-电子DC-DC转换器-双开关正激转换器-有源钳位正激转换器
- AT04-3P-EC01
- QTM325-50.000MDE-T
- 351-1633-000
- 25QHM572C1.0-36.288
- 0878311628
- DECO2420SEO-00015
- VS-70HFR100
- 1971808
- PE30LDFL102MAB
- TST-112-04-L-D-RA-01
- FIT44-2-B
- XPEBWT-H1-0000-00DE8
- SIT8208AI-GF-33S-75.000000X
- 5601440115
- SFH628A-3X017T
- 5505107002F
- SI47957A2GE1AM
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- 3QHM572D2.0-49.000
- FLX40-020-06


